电子元器件采购与分销 · 始于 2004 年 richard@fastspeed-ic.com ↗
English 上传 BOM 获取报价
广东致能 / GaN功率器件(GaN HEMT)

ZN65C1R200L

Guangdong Zhineng (广东致能) ZN65C1R200L(GaN功率器件(GaN HEMT))为原装正品功率分立器件,耐压、电流与热阻参数以官方 Datasheet 为准,欢迎询价索样。

全新原装 支持样品与批量采购
产品标识
广东致能GaN功率器件(GaN HEMT)
ZN65C1R200L
产品外观请参考原厂资料
封装
DFN-8x8

产品概述

Guangdong Zhineng (广东致能) ZN65C1R200L(GaN功率器件(GaN HEMT))面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源,Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。

厂商
广东致能
型号
ZN65C1R200L
品类
GaN功率器件(GaN HEMT)
封装
DFN-8x8
成色
全新原装
生命周期
与原厂确认
交期 / 最小起订量
以报价为准

技术参数

12 项

结构与连接

VDS, max
650 V
Transient VDSS(TR)
750 V
ID @Tc=25°C
12 A
ID @Tc=100°C
7 A
RDS(on) typ
200 mΩ
QG typ
11.9 nC
QRR typ
53 nC
VGS(th)
1.85 V typ
VGSS
±20 V
Power Dissipation (PD)
62 W
Package
DFN 8x8

性能与环境

Operating Temperature
-55°C to +150°C

规格与文档

请使用原厂官方文档,在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。

请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价,最终规格以报价为准。