01 / 产品信息
产品概述
Wayon（维安） WMK80R160S（MOSFET(超结SJ)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 维安
- 型号
- WMK80R160S
- 品类
- SJ MOSFET(超级结)
- 封装
- TO-220
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
19 项结构与连接
- Input capacitance Ciss VDS= 100V, VGS= 0V
- 2480
- Output capacitance Coss f = 1 MHz
- 56 pF
- Reverse transfer capacitance Crss
- 2.9
- Turn-on delay time td(on) VDD = 300V, ID = 10A
- 36
- Rise time tr RG = 25Ω, VGS=10V
- 44 ns
- Turn-off delay time td(off)
- 120
- Fall time tf
- 43
- Gate to source charge Qgs VDD=480V, ID=10A
- 11
- Gate to drain charge Qgd VGS=0 to 10V
- 23 nC
- Gate charge total Qg
- 46
- Reverse recovery time trr VR=50V, IF=10A
- 450 ns
- Reverse recovery charge Qrr dIF/dt=100A/μs
- 6.1 μC
性能与环境
- Drain-source breakdown voltage BVDSS VGS=0 V, ID=1 mA
- 800 V
- Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS, ID=0.25mA
- 3.5 V
- Gate leakage current, forward IGSSF VGS=20V, VDS=0V
- 100 nA
- Gate leakage current, reverse IGSSR VGS=-20V, VDS=0V
- 100 nA
- Gate plateau voltage Vplateau
- 5.6 V
- Diode forward voltage VSD VGS=0 V, IF=5A
- 1.2 V
- Peak reverse recovery current Irrm
- 27 A
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。