01 / 产品信息
产品概述
Wayon（维安） WM04P56M2（MOSFET(小信号)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 维安
- 型号
- WM04P56M2
- 品类
- 小信号MOSFET
- 封装
- SOT-23
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
26 项结构与连接
- Power Dissipation TA=25°C
- 2 W
- VGS = 0V , VDS = -2
- 0V
- VGS = -10V, VDS =
- 20V
- Gate-Source Leakage IGSS VDS= 0V, VGS= ±20V
- ±100 nA
- VGS= -10V, ID= -5.6A
- 37
- VGS= -4.5V, ID= -3A
- 46
- Input Capacitance Ciss
- 1070
- Output Capacitance Coss
- 85 pF
- Reverse Transfer Capacitance Crss
- 75
- Total Gate Charge Qg
- 17.5
- Gate−Source Charge Qgs
- 2.8 nC
- Gate−Drain Charge Qgd
- 2.5
- Turn-on Delay Time td(on)
- 5.8
- Rise Time tr VGS= -10V, VDD= -20V
- 8
- Turn-off Delay time td(off)
- 25
- Fall Time tf
- 8.8
性能与环境
- Drain-Source Voltage
- 40 V
- Gate-Source Voltage
- ±20 V
- Continuous Drain Current TA=25°C
- 5.6 A
- Operating Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -5
- 5 to 150 °C
- Thermal Resistance from Junction to Ambient 2 RθJA
- 62.5 °C/W
- Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS= 0V, ID= -250μA
- 40 V
- Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS= -40V, VGS= 0V
- 1 μA
- Gate-Source Threshold voltage VGS(th) VDS= VGS, ID= -250μA
- 1.5 V
- Diode Forward Voltage3 VSD IS = -5.6A, VGS = 0V
- 1.2 V
- Continuous Source Current
- 5.6 A
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。