01 / 产品信息
产品概述
Wayon（维安） WM04N50M（MOSFET(小信号)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 维安
- 型号
- WM04N50M
- 品类
- 小信号MOSFET
- 封装
- SOT-23
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
24 项结构与连接
- Power Dissipation TA=25°C
- 1.2 W
- VGS = 10V, ID = 5A
- 30
- VGS = 4.5V, ID = 3A
- 38
- Input Capacitance Ciss
- 495
- Output Capacitance Coss
- 42 pF
- Reverse Transfer Capacitance Crss
- 33
- Total Gate Charge Qg
- 10
- Gate-Source Charge Qgs
- 1.4 nC
- Gate-Drain Charge Qgd
- 1.9
- Turn-on Delay Time td(on)
- 15
- Turn-on Rise Time tr
- 49.5
- Turn-off Delay Time td(off)
- 19.2
- Turn- off Fall Time tf
- 11
性能与环境
- Drain-Source Voltage
- 40 V
- Gate-Source Voltage
- ±20 V
- Continuous Drain Current TA=25°C
- 5 A
- Operating Junction and Storage Temperature Range TJ, TSTG
- 55 to 150 °C
- Thermal Resistance from Junction to Ambient2 RθJA
- 104 °C/W
- Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 250µA
- 40 V
- Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS = 40V, VGS = 0V
- 1 µA
- Gate-body Leakage Current IGSS VDS = 0V, VGS = ±20V
- ±100 nA
- Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS = VGS, ID = 250µA
- 1.5 V
- Body Diode Voltage3 VSD IS = 1A, VGS = 0V
- 1.2 V
- Continuous Source Current IS
- 5 A
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。