01 / 产品信息
产品概述
Wayon（维安） WM02DN50M3（MOSFET(小信号)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 维安
- 型号
- WM02DN50M3
- 品类
- 小信号MOSFET
- 封装
- SOT-23-6
- 包装
- 卷带
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
25 项结构与连接
- Power Dissipation TA = 25°C
- 1.5 W
- VGS = 4.5V, ID = 4.5A
- 21
- VGS = 2.5V, ID = 3.5A
- 26
- Input Capacitance Ciss
- 470
- Output Capacitance Coss
- 62 pF
- Reverse Transfer Capacitance Crss
- 52
- Total Gate Charge Qg
- 11
- Gate−Source Charge Qgs
- 2.3 nC
- Gate−Drain Charge Qgd
- 2.5
- Turn-on Time td(on)
- 18
- Rise Time tr
- 5
- Turn-off Time td(off)
- 43
- Fall Time tf
- 20
- Rev.6.1,2024 www.way-on.com
- 6/6
性能与环境
- Drain-Source Voltage
- 20 V
- Gate-Source Voltage
- ±12 V
- Continuous Drain Current TA = 25°C
- 5 A
- Operating Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG
- 55 to 150 °C
- Thermal Resistance from Junction to Ambient2 RθJA
- 83.3 C/W
- Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 250µA
- 20 --V
- Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS = 20V, VGS = 0V
- 1 µA
- Gate-body Leakage Current IGSS VDS = 0V, VGS = ±12V
- ±100 nA
- Gate threshold voltage VGS(th) VDS = VGS, ID = 250µA
- 0.7 V
- Body Diode Voltage3 VSD IS=1.7A, VGS = 0V
- 1.2 V
- Continuous Source Current IS
- 5 A
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。