01 / 产品信息
产品概述
Wayon（维安） WM01P60M（MOSFET(小信号)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 维安
- 型号
- WM01P60M
- 品类
- 小信号MOSFET
- 封装
- SOT-23
- 包装
- 卷带
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
23 项结构与连接
- Power Dissipation1
- 1.8 W
- VGS= -4.5V,ID= -5A
- 20
- VGS= -1.8V,ID= -1A
- 42
- Input Capacitance Ciss
- 1620
- Output Capacitance Coss
- 445 pF
- Reverse Transfer Capacitance Crss
- 420
- Total Gate Charge4 Qg
- 14
- Gate−Source Charge4 Qgs
- 2.3 nC
- Gate−Drain Charge4 Qgd
- 3.6
- Turn-on Delay Time4 td(on)
- 26
- Rise Time4 tr
- 24
- Turn-off Delay Time4 td(off)
- 45
- Fall Time4 tf
- 20
性能与环境
- Drain-Source Voltage
- 12 V
- Gate-Source Voltage
- ±8 V
- Continuous Drain Current
- 6 A
- Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -5
- 5 to +150 °C
- Thermal Resistance from Junction to Ambient2 RθJA
- 69 °C/W
- Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS = -12V, VGS = 0V
- 1 μA
- Gate-Body Leakage Current lGSS VDS = 0V, VGS = ±8V
- ±100 nA
- Gate-Threshold Voltage3 VGS(th) VDS = VGS, ID = -250µA
- 1 V
- Drain-Source on-Resistance3 RDS(on) VGS= -2.5V,ID= -4.3A
- 30 mΩ
- Diode Forward Voltage 3 VSD IS = -1A, VGS = 0V
- 1.2 V
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。