01 / 产品信息
产品概述
SKYSEMI SS022N10M6S 是一款 TO263-7 封装的 N 沟道功率 MOSFET，额定漏源电压为 100V，连续漏极电流为 240A，导通电阻低至 1.5mΩ（典型值）、2.2mΩ（最大值）。适用于电池管理系统（BMS）、电源、电机控制及 DC-DC 转换应用。
- 厂商
- SKYSEMI
- 型号
- SS022N10M6S
- 品类
- MOSFET
- 封装
- TO263-7
- 包装
- 卷带
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
5 项结构与连接
- Type
- N-MOSFET
- VDSS
- 100 V
- ID
- 305 A
- RDS(on).typ
- 1.5 mΩ
- Package
- TO-263-7
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。