01 / 产品信息
产品概述
NIKO PD636BA（MOSFET(功率)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- NIKO
- 型号
- PD636BA
- 品类
- 功率MOSFET
- 封装
- TO-252
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
11 项结构与连接
- 类型
- N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
- RDS(ON) @ VGS=10V
- 7 mΩ (typ.) / 9 mΩ (max)
- RDS(ON) @ VGS=4.5V
- 10 mΩ (typ.) / 12 mΩ (max)
- Power Dissipation PD (TC=25℃)
- 37.9 W
- Package
- TO-252
性能与环境
- Drain-Source Voltage VDS
- 30 V
- Gate-Source Voltage VGS
- ±20 V
- Continuous Drain Current ID (TC=25℃)
- 48 A
- Pulsed Drain Current IDM
- 120 A
- Gate Threshold Voltage VGS(th)
- 1.3 V (min) / 1.8 V (typ.) / 2.3 V (max)
- Junction & Storage Temperature Range
- -55 to 150 ℃
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。