01 / 产品信息
产品概述
Oriental Semiconductor (东微半导体) OSH10N110BCF（IGBT）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 东微
- 型号
- OSH10N110BCF
- 品类
- IGBT
- 封装
- SOP-8
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
15 项结构与连接
- Part Number
- OSH10N110BCF
- Category
- Industry/ commerical
- Package Type
- SOP
- Product Status
- Production
- Polarity
- Dual-N
- Nr of Transistors
- 2
- V DS (max)(V)
- 100
- R DS(on) (@10V)max
- 85
- R DSon (max) @VGS=10V(mΩ)
- 90
- I D (@25℃)max
- 13
- C iss (typ)(pF)
- 951
- Q G (typ@10V)
- 20.2
- V GS(th) min
- 1
- V GS(th) max
- 2.5
- ESD
- N
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。