01 / 产品信息
产品概述
NCE Power（新洁能） NCE65T540K（MOSFET-超结(Super-Junction)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- NCE
- 型号
- NCE65T540K
- 品类
- SJ MOSFET(超级结)
- 封装
- TO-252
- 包装
- 卷带
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
31 项结构与连接
- Maximum Power Dissipation(Tc=25℃)
- 69 W
- EAR
- 0.3 mJ
- Input Capacitance Clss
- 590 pF
- Output Capacitance Coss
- 37 pF
- Reverse Transfer Capacitance Crss
- 0.9 pF
- Total Gate Charge Qg
- 14.6 nC
- Gate-Source Charge Qgs
- 4 nC
- Gate-Drain Charge Qgd
- 6.7 nC
- Turn-on Delay Time td(on)
- 8 nS
- Turn-on Rise Time tr VDD=380V,ID=4A
- 6 nS
- Turn-Off Delay Time td(off) RG=4.7Ω,VGS=10V
- 59 nS
- Turn-Off Fall Time tf
- 10 nS
- Reverse Recovery Time trr
- 230 nS
- Reverse Recovery Charge Qrr Tj=25°C,IF=4A,di/dt=100A/μs
- 1.2 uC
性能与环境
- Drain-Source Voltage (VGS=0V）
- 650 V
- Gate-Source Voltage (VDS=0V) ,AC (f>1 Hz)
- ±30 V
- Continuous Drain Current at Tc=25°C ID (DC)
- 8 A
- Continuous Drain Current at Tc=100°C ID (DC)
- 5.2 A
- Operating Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG -55
- +150 °C
- Thermal Resistance，Junction-to-Case（Maximum） RthJC 1.8
- 1 °C/W
- Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=250μA 6
- 50 V
- Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=25℃) IDSS VDS=650V,VGS=0V
- 1 μA
- Gate-Body Leakage Current IGSS VGS=±20V,VDS=0V
- ±100 nA
- Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250μA
- 3 V
- Drain-Source On-State Resistance RDS(ON) VGS=10V, ID=4A
- 460 mΩ
- Source-drain current(Body Diode)
- 8 A
- Forward On Voltage VSD Tj=25°C,ISD=8A,VGS=0V
- 0.9 V
- Peak Reverse Recovery Current Irrm
- 10.5 A
- Thermal Resistance，Junction-to-Case（Maximum） RthJC
- 1.81 °C/W
- Thermal Resistance，Junction-to-Ambient （Maximum） RthJA
- 62 °C/W
- Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=250μA
- 650 V
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。