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NCE / SJ MOSFET(超级结)

NCE65NF099F

NCE Power(新洁能) NCE65NF099F(MOSFET-超结(Super-Junction))为原装正品功率分立器件,耐压、电流与热阻参数以官方 Datasheet 为准,欢迎询价索样。

全新原装 支持样品与批量采购
产品标识
TO-220 通用封装等距示意,非该型号实物图

等距示意图,可切顶视或旋转 3D。

TO-220 · 通用封装示意

按目录封装字段展示,尚未逐料号核对。尺寸、极性和引脚定义请查原厂资料。查看型号资料 ↓
封装结构参考 · 非工程尺寸图
封装
TO-220F

产品概述

NCE Power(新洁能) NCE65NF099F(MOSFET-超结(Super-Junction))面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源,Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。

厂商
NCE
型号
NCE65NF099F
品类
SJ MOSFET(超级结)
封装
TO-220F
成色
全新原装
生命周期
与原厂确认
交期 / 最小起订量
以报价为准

技术参数

35 项

结构与连接

Maximum Power Dissipation(Tc=25℃)
35 W
Single pulse avalanche energy (Note 2)
324 mJ
EAR
0.39 mJ
Reverse diode dv/dt,VDS ≤480 V,ISD<ID dv/dt
50 V/ns
Input Capacitance Clss
2800 pF
Output Capacitance Coss
96 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss
6 pF
Total Gate Charge Qg
55 nC
Gate-Source Charge Qgs VDS=480V,ID=18A
16.5 nC
Gate-Drain Charge Qgd VGS=10V
25.5 nC
Turn-on Delay Time td(on)
15 nS
Turn-on Rise Time tr VDD=380V,ID=18A
14 nS
Turn-Off Delay Time td(off) RG=1.7Ω,VGS=10V
72 nS
Turn-Off Fall Time tf
14 nS
Reverse Recovery Time trr
160 nS
Reverse Recovery Charge Qrr Tj=25°C,IF=18A,di/dt=100A/μs
0.96 uC

性能与环境

Drain-Source Voltage (VGS=0V)
650 V
Gate-Source Voltage (VDS=0V) AC (f>1 Hz)
±30 V
Gate-Source Voltage (VDS=0V) DC
±20 V
Continuous Drain Current at Tc=25°C ID (DC)
36 A
Continuous Drain Current at Tc=100°C ID (DC)
25.2 A
Drain Source voltage slope, VDS ≤480 V, dv/dt
50 V/ns
Operating Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG
55...+175 °C
Thermal Resistance,Junction-to-Case(Maximum) RthJC
4.29 °C/W
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Maximum) RthJA
62 °C/W
Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=1mA
650 V
Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=25℃) IDSS VDS=650V,VGS=0V
10 μA
Gate-Body Leakage Current IGSS VGS=±20V,VDS=0V
±100 nA
Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=500uA
3.5 V
Drain-Source On-State Resistance RDS(ON) VGS=10V, ID=18A
85 mΩ
Gate plateau voltage Vgp
7.3 V
Intrinsic gate resistance RG f = 1 MHz open drain
1.5 Ω
Source-drain current(Body Diode)
36 A
Forward On Voltage VSD Tj=25°C,ISD=36A,VGS=0V
1.0 V
Peak Reverse Recovery Current Irrm
12 A

规格与文档

请使用原厂官方文档,在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。

请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价,最终规格以报价为准。