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NCE / MOSFET

NCE30H15

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

全新原装 支持样品与批量采购
产品标识
NCEMOSFET
NCE30H15
产品外观请参考原厂资料

产品概述

NCE MOSFET NCE30H15 为原装正品元器件,适用于相关电路设计与批量采购。我们提供完整规格资料、规格书与灵活报价,支持小批量试样与长期稳定供货。

厂商
NCE
型号
NCE30H15
品类
MOSFET
成色
全新原装
生命周期
与原厂确认
交期 / 最小起订量
以报价为准

技术参数

12 项

结构与连接

RDS(ON) @ VGS=10V
2.3 mΩ (Typ.) / 3.0 mΩ (Max)
RDS(ON) @ VGS=4.5V
3.2 mΩ (Typ.) / 4.0 mΩ (Max)
Total Gate Charge Qg
114 nC
Maximum Power Dissipation PD
130 W
Package
TO-220-3L

性能与环境

Drain-Source Voltage VDS
30 V
Gate-Source Voltage VGS
±20 V
Drain Current-Continuous ID
150 A
Drain Current-Continuous (TC=100℃)
105 A
Pulsed Drain Current IDM
600 A
Gate Threshold Voltage VGS(th)
1.2 V (min) / 2.5 V (max)
Operating Junction Temperature TJ
-55 ~ 175 ℃

规格与文档

请使用原厂官方文档,在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。

请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价,最终规格以报价为准。