01 / 产品信息
产品概述
NCE Power（新洁能） NCE2312A（MOSFET-沟槽型(Trench)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- NCE
- 型号
- NCE2312A
- 品类
- MOSFET-沟槽型(Trench)
- 封装
- SOT-23
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
25 项结构与连接
- Maximum Power Dissipation
- 1.25 W
- VGS=2.5V, ID=4.5
- 20 mΩ
- VGS=4.5V, ID=5A
- 17 mΩ
- Forward Transconductance gFS VDS=15V,ID=5A
- 25 S
- Input Capacitance Clss
- 780 PF
- Output Capacitance Coss
- 140 PF
- Reverse Transfer Capacitance Crss
- 80 PF
- Turn-on Delay Time td(on)
- 9 nS
- Turn-on Rise Time tr VDD=10V,ID=1A
- 30 nS
- Turn-Off Delay Time td(off) VGS=4.5V,RGEN=6Ω
- 35 nS
- Turn-Off Fall Time tf
- 10 nS
- Total Gate Charge Qg
- 11 nC
- Gate-Source Charge Qgs VDS=10V,ID=5A,VGS=4.5V
- 2.3 nC
- Gate-Drain Charge Qgd
- 2.9 nC
性能与环境
- Drain-Source Voltage
- 20 V
- Gate-Source Voltage
- ±10 V
- Drain Current-Continuous
- 5 A
- Drain Current-Pulsed
- 15 A
- Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2) RθJA
- 100 ℃/W
- Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=250μA
- 22 V
- Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=20V,VGS=0V
- 1 μA
- Gate-Body Leakage Current IGSS VGS=±10V,VDS=0V
- ±100 nA
- Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250μA
- 0.65 V
- Diode Forward Voltage (Note 3) VSD VGS=0V,IS=5A
- 1.2 V
- Diode Forward Current
- 5 A
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。