01 / 产品信息
产品概述
NCE Power（新洁能） NCE2312（MOSFET-沟槽型(Trench)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- NCE
- 型号
- NCE2312
- 品类
- MOSFET-沟槽型(Trench)
- 封装
- SOT-23
- 包装
- 卷带
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
22 项结构与连接
- Maximum Power Dissipation
- 1.25 W
- VGS=2.5V, ID=2.5A
- 19
- VGS=4.5V, ID=2.5A
- 16
- Forward Transconductance gFS VDS=10V,ID=2.5A
- 10
- Input Capacitance Clss
- 637
- Output Capacitance Coss
- 133
- Reverse Transfer Capacitance Crss
- 124
- Turn-on Delay Time td(on)
- 11
- Turn-on Rise Time tr VDD=10V,ID=2.5A
- 30
- Turn-Off Delay Time td(off) VGS=4.5V,RGEN=6Ω
- 35
- Turn-Off Fall Time tf
- 10
- Total Gate Charge Qg
- 11.1
- Gate-Source Charge Qgs VDS=10V,ID=2.5A,VGS=4
- 1.1
- Gate-Drain Charge Qgd
- 3.4
性能与环境
- Drain-Source Voltage
- 20 V
- Gate-Source Voltage
- ±12 V
- Drain Current-Pulsed (Note 1)
- 15 A
- Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2) RθJA
- 100 ℃/W
- Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=250μA
- 20 V
- Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=20V,VGS=0V
- 1
- Gate-Body Leakage Current IGSS VGS=±12V,VDS=0V
- 100
- Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250μA
- 0.65
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。