01 / 产品信息
产品概述
NCE Power（新洁能） NCE0130KA（MOSFET-沟槽型(Trench)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- NCE
- 型号
- NCE0130KA
- 品类
- MOSFET-沟槽型(Trench)
- 封装
- TO-252
- 包装
- 卷带
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
27 项结构与连接
- Maximum Power Dissipation
- 85 W
- Derating factor
- 0.57 W/℃
- Single pulse avalanche energy (Note 5)
- 200 mJ
- VGS=10V, ID=10A
- 25 mΩ
- VGS=4.5V, ID=10A
- 28 mΩ
- gFS Forward Transconductance VDS=5V,ID=10A
- 15 S
- Clss Input Capacitance
- 2479 pF
- Coss Output Capacitance
- 96 pF
- Crss Reverse Transfer Capacitance
- 79 pF
- td(on) Turn-on Delay Time
- 8.4 nS
- tr Turn-on Rise Time VDD=50V,ID=15A
- 6.1 nS
- td(off) Turn-Off Delay Time VGS=12V,RGEN=3Ω
- 60.6 nS
- tf Turn-Off Fall Time
- 8.5 nS
- Qg Total Gate Charge
- 67.2 nC
- Qgs Gate-Source Charge
- 9.4 nC
- Qgd Gate-Drain Charge
- 15.5 nC
- trr Reverse Recovery Time TJ = 25°C, IF = 10A
- 32 nS
性能与环境
- Drain-Source Voltage
- 100 V
- Gate-Source Voltage
- ±20 V
- Drain Current-Continuous
- 30 A
- Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃)
- 21 A
- Thermal Resistance, Junction-to-Case (Note 2) RθJC
- 1.8 ℃/W
- BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V ID=250μA
- 115 V
- IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS=100V,VGS=0V
- 1 μA
- IGSS Gate-Body Leakage Current VGS=±20V,VDS=0V
- ±100 nA
- VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS=VGS,ID=250μA
- 1.9 V
- VSD Diode Forward Voltage (Note 3) VGS=0V,IS=10A
- 1.2 V
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。