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安森美 / 双极型晶体管(BJT)

MMBT5551LT1G

Bipolar Transistor

全新原装 支持样品与批量采购
产品标识
安森美双极型晶体管(BJT)
MMBT5551LT1G
产品外观请参考原厂资料

产品概述

安森美 双极型晶体管(BJT) MMBT5551LT1G 为原装正品元器件,适用于相关电路设计与批量采购。我们提供完整规格资料、规格书与灵活报价,支持小批量试样与长期稳定供货。

厂商
安森美
型号
MMBT5551LT1G
品类
双极型晶体管(BJT)
成色
全新原装
生命周期
与原厂确认
交期 / 最小起订量
以报价为准

技术参数

21 项

结构与连接

Human Body Model
> 8000
Machine Model
> 400
Substrate (Note 2) @TA = 25 °C
300 mW
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0) MMBT5550
140
(IC = 100 mAdc, IE = 0) MMBT5550
160
(IE = 10 mAdc, IC = 0)
6.0
(VCB = 100 Vdc, IE = 0) MMBT5550
100 nAdc
(VCB = 120 Vdc, IE = 0) MMBT5551
50
(VCB = 100 Vdc, IE = 0, TA = 100°C) MMBT5550
100 mAdc
(VCB = 120 Vdc, IE = 0, TA = 100°C) MMBT5551
50
(VEB = 4.0 Vdc, IC = 0)
50
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc) MMBT5550
60
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc) MMBT5550
250
(IC = 50 mAdc, VCE = 5.0 Vdc) MMBT5550
20
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc) Both Types
0.15
(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc) MMBT5550
0.25
(VCB = 10 V) Both Types
50
(VCB = 75 V)
100

性能与环境

Emitter −Base Voltage
6.0
Collector Current − Continuous
600 mAdc
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient RqJA
556 °C/W

规格与文档

请使用原厂官方文档,在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。

请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价,最终规格以报价为准。