01 / 产品信息
产品概述
MCC MOSFET MCQD08P06Y-TP 为原装正品元器件，适用于相关电路设计与批量采购。我们提供完整规格资料、规格书与灵活报价，支持小批量试样与长期稳定供货。
- 厂商
- MCC
- 型号
- MCQD08P06Y-TP
- 品类
- MOSFET
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
21 项结构与连接
- VGS=-10V, ID=-4.3A
- 66
- VGS=-4.5V, ID=-3.8A
- 80
- *DWH5HVLVWDQFH 5J f 0+]2SHQGUDLQ
- 3 ȍ
- &RQWLQXRXV%RG\'LRGH&XUUHQW ,6
- 8 $
- 'LRGH)RUZDUG9ROWDJH 96' 9*6 9,6 -2.8$
- 1.2 9
- 5HYHUVH5HFRYHU\7LPH
- 20 QV
- 5HYHUVH5HFRYHU\&KDUJH 4UU
- 15 Q&
- Input Capacitance Ciss
- 505
- Output Capacitance Coss VDS=-15V,VGS=0V,f=1MHz
- 133 pF
- Reverse Transfer Capacitance Crss
- 23
- Total Gate Charge Qg
- 4.27
- Gate-Source Charge Qgs VDD=-30V,VGS=-4.5V,ID=-3.1A
- 2.39 nC
- Gate-Drain Charge Qgd
- 1.1
- Turn-On Delay Time td(on)
- 11
- Turn-On Rise Time tr VDD =-30V, VGS=-4.5V
- 33.8
- Turn-Off Delay Time td(off)
- 12.4
- Turn-Off Fall Time tf
- 23.2
性能与环境
- Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS=0V, ID=-250µA
- 60 V
- Gate-Source Leakage Current IGSS VDS=0V, VGS =±20V
- ±100 nA
- Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=-60V, VGS=0V
- 1 µA
- Gate-Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS, ID=-250µA
- 1.7 V
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。