01 / 产品信息
产品概述
onsemi KSP2222ATA（双极型晶体管(BJT)-通用(NPN)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 安森美
- 型号
- KSP2222ATA
- 品类
- 双极型晶体管(BJT)-通用(NPN)
- 封装
- TO-92-3 LF
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
24 项结构与连接
- PD Power Dissipation by RqJA
- 625
- VCE = 10 V, IC = 1 mA
- 50
- VCE = 10 V, IC = 10 mA
- 75
- VCE = 10 V, IC = 150 mA (Note 2)
- 300
- VCE = 10 V, IC = 500 mA (Note 2)
- 40
- IC = 500 mA, IB = 50 mA
- 1.0
- Cob Output Capacitance VCB = 10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz
- 8 pF
- tON Turn−On Time VCC = 30 V, IC = 150 mA
- 35 ns
- tOFF Turn−Off Time VCC = 30 V, IC = 150 mA
- 285 ns
- NF Noise Figure IC = 100 mA, VCE = 10 V
- 4 dB
性能与环境
- VCBO Collector−Base Voltage
- 75 VAKSP
- VCEO Collector−Emitter Voltage
- 40 V2222A
- VEBO Emitter−Base Voltage
- 6.0 V
- IC Collector Current
- 600 mA
- TJ Junction Temperature
- 150 °C
- TSTG Storage Temperature −5
- 5 to 150
- RqJC Thermal Resistance, Junction−to−Case
- 83.3
- Thermal Resistance, Junction−to−Ambient
- 200
- BVCBO Collector−Base Breakdown Voltage IC = 10 mA, IE = 0
- 75 V
- BVCEO Collector−Emitter Breakdown Voltage IC = 10 mA, IB = 0
- 40 V
- BVEBO Emitter−Base Breakdown Voltage IE = 10 mA, IC = 0
- 6.0 V
- ICBO Collector Cut−Off Current VCB = 60 V, IE = 0
- 0.01 mA
- IEBO Emitter Cut−Off Current VEB = 3.0 V, IC = 0
- 10 nA
- hFE DC Current Gain VCE = 10 V, IC = 0.1 mA
- 35
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。