01 / 产品信息
产品概述
InventChip (瞻芯电子) IV1Q12050T3（SiC MOSFET）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- IVCT
- 型号
- IV1Q12050T3
- 品类
- SiC MOSFET
- 封装
- TO-247-3
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
11 项结构与连接
- PTOT Total power dissipation
- 327
性能与环境
- VDS Drain-Source voltage
- 1200
- VGSmax (DC) Maximum DC voltage
- 5 to 22
- VGSmax (Spike) Maximum spike voltage
- 10 to 25 V
- VGSon Recommended turn-on voltage
- 20±0.5 V
- VGSoff Recommended turn-off voltage
- 3.5 to -2 V
- IDM Drain current (pulsed)
- 145
- Tstg Storage temperature range
- 55 to 175 °C
- TJ Operating junction temperature
- 55 to 175 °C
- TL Solder Temperature
- 260
- Rθ(J-C) Thermal Resistance from Junction to Case
- 0.459
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。