01 / 产品信息
产品概述
IVCT SiC MOSFET IV1Q06060T3G 为原装正品元器件，适用于相关电路设计与批量采购。我们提供完整规格资料、规格书与灵活报价，支持小批量试样与长期稳定供货。
- 厂商
- IVCT
- 型号
- IV1Q06060T3G
- 品类
- SiC MOSFET
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
6 项结构与连接
- PTOT Total power dissipation
- 227
性能与环境
- VDS Drain-Source voltage
- 650
- VGSmax (DC) Maximum DC voltage
- 5 to 22
- VGSon Recommended turn-on voltage
- 20±0.5 V
- TL Solder Temperature
- 260
- Rθ(J-C) Thermal Resistance from Junction to Case
- 0.659
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。