01 / 产品信息
产品概述
Diodes Incorporated DMP10H4D2S（DMP10H4D2S）广泛用于消费电子、工业控制与通信设备的通用电路功能实现。原装正品，工作电压、功耗与封装以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询报价与现货。
- 厂商
- Diodes
- 型号
- DMP10H4D2S
- 品类
- 未分类
- 封装
- SOT-23
- 包装
- 卷带
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
25 项结构与连接
- State TA = +70°C
- 0.21
- Gate-Body Leakage
- ±10
- Input Capacitance Ciss
- 87
- Output Capacitance Coss
- 5.6 pF
- Reverse Transfer Capacitance Crss
- 2.9
- Total Gate Charge Qg
- 1.8
- Gate-Source Charge Qgs
- 0.3 nC
- Gate-Drain Charge Qgd
- 0.5
- Turn-On Delay Time tD(ON)
- 3.3
- Turn-On Rise Time tR
- 2.6
- Turn-Off Delay Time tD(OFF)
- 8.4
- Turn-Off Fall Time tF
- 4.9
- Reverse Recovery Time tRR
- 17.8
- Reverse Recovery Charge
- 24.8
性能与环境
- Drain-Source Voltage
- 100 V
- Gate-Source Voltage
- ±20 V
- Maximum Body Diode Continuous Current (Note 6)
- 0.27 A
- Thermal Resistance, Junction to Ambient Steady (Note 5) RθJA
- 333
- Thermal Resistance, Junction to Ambient State (Note 6) RθJA
- 282 C/W
- Thermal Resistance, Junction to Case (Note 6) RθJC
- 115
- Drain-Source Breakdown Voltage
- 100
- Zero Gate Voltage Drain Current
- 1
- Gate Threshold Voltage VGS(TH)
- 2.3
- Diode Forward Voltage
- 0.82
- Gate Resistance
- 15.3
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。