01 / 产品信息
产品概述
Diodes MOSFET DMN6140L-13 为原装正品元器件，适用于相关电路设计与批量采购。我们提供完整规格资料、规格书与灵活报价，支持小批量试样与长期稳定供货。
- 厂商
- Diodes
- 型号
- DMN6140L-13
- 品类
- MOSFET
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
25 项结构与连接
- State TA = +70°C
- 1.2
- t<10s
- 115
- Gate-Source Leakage
- ±100
- Forward Transfer Admittance |Yfs|
- 2.2
- Input Capacitance Ciss
- 315
- Output Capacitance Coss
- 18 pF
- Reverse Transfer Capacitance Crss
- 16
- Gate Resistnace Rg
- 0.65
- Total Gate Charge (VGS = 10V) Qg
- 8.6
- Total Gate Charge (VGS = 5V) Qg
- 4.1
- Gate-Source Charge Qgs
- 1.0
- Gate-Drain Charge Qgd
- 1.7
- Turn-On Delay Time tD(on)
- 2.6
- Turn-On Rise Time tr
- 3.6
- Turn-Off Delay Time tD(off)
- 16.3
- Turn-Off Fall Time tf
- 2.7
- Reverse Recovery Time trr
- 16.8 ns
- Reverse Recovery Charge Qrr
- 9.0 nC
性能与环境
- Drain-Source Voltage
- 60 V
- Maximum Continuous Body Diode Forward Current (Note 6)
- 1.5 A
- Thermal Resistance, Junction to Case RJC
- 39
- Drain-Source Breakdown Voltage
- 60
- Zero Gate Voltage Drain Current
- 1
- Gate Threshold Voltage VGS(th)
- 3
- Diode Forward Voltage
- 0.75
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。