01 / 产品信息
产品概述
Changjiang (长江) / CJ CJ3439KDW（MOSFET）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 长晶科技
- 型号
- CJ3439KDW
- 品类
- MOSFET
- 封装
- SOT-363
- 包装
- 卷带
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
12 项结构与连接
- Type
- N-channel + P-channel MOSFET (CJ3134K + CJ3139K)
- RDS(on) max
- 380 mΩ @ VGS = 4.5 V (N) / 520 mΩ @ VGS = -4.5 V (P)
- RDS(on) @ VGS = 2.5 V
- 450 mΩ (N) / 700 mΩ (P)
- RDS(on) @ VGS = 1.8 V
- 800 mΩ (N) / 950 mΩ (P, typ)
- Package
- SOT-363
性能与环境
- Drain-Source Voltage VDS
- 20 V (N) / -20 V (P)
- Gate-Source Voltage VGS
- ±12 V
- Continuous Drain Current ID
- 0.75 A (N) / -0.66 A (P)
- Pulsed Drain Current IDM
- 1.8 A (N) / -1.2 A (P)
- Gate Threshold Voltage VGS(th)
- 0.35 V - 1.1 V (N) / -0.35 V to -1.1 V (P)
- Thermal Resistance RθJA
- 833 °C/W
- Junction Temperature TJ
- 150 °C
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。