01 / 产品信息
产品概述
Infineon BSZ520N15NS3GATMA1（MOSFET(OptiMOS低压)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 英飞凌
- 型号
- BSZ520N15NS3GATMA1
- 品类
- MOSFET(OptiMOS低压)
- 封装
- SOT-23
- 包装
- 卷盘
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
13 项结构与连接
- Polarity
- N-channel
- RDS(on)
- 52 mΩ (max) / 42 mΩ (typ) @ VGS = 10 V
- Total Gate Charge Qg
- 8.7 nC (typ) / 12 nC (max) @ 10 V
- Power Dissipation Ptot
- 57 W
- Input Capacitance Ciss
- 670 pF
- Output Capacitance Coss
- 80 pF
- Package
- PQFN 3.3 x 3.3 (PG-TSDSON-8)
性能与环境
- Drain-Source Voltage VDS
- 150 V
- Continuous Drain Current ID (@25°C)
- 21 A
- Pulsed Drain Current IDpuls
- 84 A
- Gate Threshold Voltage VGS(th)
- 3 V (2 V - 4 V)
- Thermal Resistance Rth
- 2.2 K/W
- Operating Temperature
- -55 °C to +150 °C
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。