01 / 产品信息
产品概述
Infineon BSS84PWH6327XTSA1（MOSFET(小信号)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 英飞凌
- 型号
- BSS84PWH6327XTSA1
- 品类
- 小信号MOSFET
- 封装
- SOT-323
- 包装
- 卷带
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
30 项结构与连接
- Avalanche energy, single pulse
- 2.61 mJ
- Avalanche energy, periodic limited by Tjmax
- 0.03
- Reverse diode dv/dt dv/dt
- 6 kV/µs
- Power dissipation Ptot
- 0.3 W
- Rev 2.0 Page 1
- 2016-06- 21
- VDS = -60 V, V GS = 0 V, T j = 25 °C
- 0.1
- VDS = -60 V, V GS = 0 V, T j = 125 °C
- 10
- Rev 2.0 Page 2
- 2016-0 6-21
- Transconductance g fs V DS£2*ID*R DS(on)max , 0.08
- 0.16 S
- Input capacitance Ciss V GS=0V, VDS=-25V
- 15.3 pF
- Output capacitance Coss f=1MHz
- 5.8
- Reverse transfer capacitance Crss
- 3
- Turn-on delay time t d(on) V DD=-30V, V GS=-4.5V
- 6.7 ns
- Rise time tr ID=-0.12A, RG=25W
- 16.2
- Turn-off delay time t d(off)
- 8.6
- Fall time tf
- 20.5
- Gate to source charge Q gs V DD=-48V, I D=-0.15A
- 0.25 nC
- Gate to drain charge Q gd
- 0.3
- Gate charge total Qg V DD=-48V, I D=-0.15A
- 1
- Reverse recovery time t rr V R=-30V, I F=l S
- 23.6 ns
- Reverse recovery charge Q rr diF/dt=100A/µs
- 11.6 nC
- Rev 2.0 Page 3
- 2016-06- 21
性能与环境
- Continuous drain current
- 0.15 A
- Gate source voltage
- ±20 V
- Operating and storage temperature Tj , Tstg -5
- 5...+150 °C
- Gate threshold voltage, VGS = VDS VGS(th) -1
- 1.5
- Gate-source leakage current IGSS
- 10 nA
- Drain-source on-state resistance RDS(on)
- 10.5 W
- Gate plateau voltage V(plateau) V DD=-48V, ID=-0.15A
- 3.4 V
- Inverse diode forward voltage VSD V GS=0V, IF=-0.15A
- 0.84
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。