01 / 产品信息
产品概述
onsemi BSS138LT1G（MOSFET-小信号/通用(N-channel)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 安森美
- 型号
- BSS138LT1G
- 品类
- MOSFET-小信号/通用(N-channel)
- 封装
- SOT-23
- 包装
- 卷盘
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
21 项结构与连接
- Continuous @ TA = 25 °C
- 200
- Total Power Dissipation @ TA = 25 °C
- 225 mW
- (VDS = 25 Vdc, VGS = 0 Vdc, 25 °C)
- 0.1
- (VDS = 50 Vdc, VGS = 0 Vdc, 25 °C)
- 0.5
- (VDS = 50 Vdc, VGS = 0 Vdc, 150 °C)
- 5.0
- (VGS = 2.75 Vdc, ID < 200 mAdc, TA = -40 °C to +85 °C)
- 5.6
- (VGS = 5.0 Vdc, ID = 200 mAdc)
- 3.5
- Forward Transconductance gfs
- 100 mhos
- Input Capacitance (VDS = 25 Vdc, VGS = 0, f = 1 MHz) Ciss
- 40 pF
- Output Capacitance (VDS = 25 Vdc, VGS = 0, f = 1 MHz) Coss
- 12
- Transfer Capacitance (VDG = 25 Vdc, VGS = 0, f = 1 MHz) Crss
- 3.5
- Turn-On Delay Time td(on)
- 20 ns
- Turn-Off Delay Time td(off)
- 20
性能与环境
- Drain-to-Source Voltage
- 50 Vdc
- Gate-to-Source Voltage - Continuous
- ± 20 Vdc
- Operating and Storage Temperature TJ, Tstg
- 55 to 150
- Thermal Resistance, RqJA
- 556 °C/W
- Maximum Lead Temperature for
- 260 °C
- Drain-to-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS
- 50 Vdc
- Gate-Source Leakage Current (VGS = ± 20 Vdc, VDS = 0 Vdc)
- ±0.1 mAdc
- Gate-Source Threshold Voltage VGS(th)
- 1.5 Vdc
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。