01 / 产品信息
产品概述
Infineon BFP650H6327XTSA1（射频晶体管(RF Transistor)）面向射频前端、无线连接与微波通信等高频应用。原装正品，频率范围、增益与噪声系数以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询报价与现货。
- 厂商
- 英飞凌
- 型号
- BFP650H6327XTSA1
- 品类
- 射频晶体管(RF Transistor)
- 封装
- SOT-343
- 包装
- 卷带
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
12 项结构与连接
- Datasheet
- 3
- Junction - soldering point RthJS
- 140 K/W
- Transition frequency fT 31
- 42
- Collector base capacitance CCB
- 0.26
- Collector emitter capacitance
- 0.45
- Emitter base capacitance
- 1.3
性能与环境
- Collector emitter voltage VCEO
- 4.0
- Collector emitter breakdown voltage V(BR)CEO 4
- 4.5
- Collector emitter leakage current ICES
- 0.1
- Collector base leakage current
- 1
- Emitter base leakage current
- 10
- DC current gain hFE 100
- 170
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。