01 / 产品信息
产品概述
Nexperia BCX70H（双极型晶体管(BJT)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 安世半导体
- 型号
- BCX70H
- 品类
- 双极型晶体管(BJT)
- 封装
- SOT-23
- 包装
- 卷带
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
25 项结构与连接
- VCEO collector-emitter open base
- 45 V
- Ptot total power dissipation Tamb ≤ 25 °C [1]
- 250 mW
- IEBO emitter-base cut-off VEB = 4 V; IC = 0 µA; Tamb = 25 °C
- 20 nA
- VCE = 5 V; IC = 2 mA; Tamb = 25 °C
- 310
- VCE = 1 V; IC = 50 mA; pulsed; tp ≤
- 70
- VCE = 5 V; IC = 2 mA; Tamb = 25 °C [1]
- 650 mV
- Ce emitter capacitance VEB = 0.5 V; IC = 0 A; ic = 0 A;
- 11 pF
- fT transition frequency VCE = 5 V; IC = 10 mA; f = 100 MHz;
- 250 MHz
- NF noise figure VCE = 5 V; IC = 200 µA; RS = 2 kΩ;
- 2 dB
性能与环境
- IC collector current
- 100 mA
- hFE DC current gain VCE = 5 V; IC = 2 mA; Tamb = 25 °C
- 310
- VCBO collector-base voltage open emitter
- 45 V
- VCEO collector-emitter voltage open base
- 45 V
- VEBO emitter-base voltage open collector
- 5 V
- ICM peak collector current single pulse; tp ≤ 1 ms
- 200 mA
- IBM peak base current
- 200 mA
- Tj junction temperature
- 150 °C
- Tamb ambient temperature
- 150 °C
- Tstg storage temperature
- 150 °C
- Rth(j-a) thermal resistance from [1]
- 500 K/W
- current VCB = 45 V; IE = 0 A; Tamb = 150 °C
- 20 µA
- hFE DC current gain VCE = 5 V; IC = 10 µA; Tamb = 25 °C
- 40
- saturation voltage IC = 50 mA; IB = 1.25 mA; pulsed; tp ≤
- 550 mV
- voltage IC = 50 mA; IB = 1.25 mA; pulsed; tp ≤
- 1050 mV
- VBE base-emitter voltage VCE = 5 V; IC = 10 µA; Tamb = 25 °C
- 520 mV
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。