01 / 产品信息
产品概述
AOS MOSFET AOT8N80 为原装正品元器件，适用于相关电路设计与批量采购。我们提供完整规格资料、规格书与灵活报价，支持小批量试样与长期稳定供货。
- 厂商
- AOS
- 型号
- AOT8N80
- 品类
- MOSFET
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
24 项结构与连接
- ID=250µA, VGS=0V, TJ=25°C
- 800
- ID=250µA, VGS=0V, TJ=150°C
- 900 V
- VDS=800V, VGS=0V
- 1
- VDS=640V, TJ=125°C
- 10
- gFS Forward Transconductance VDS=40V, ID=4A
- 9 S
- Ciss Input Capacitance 1
- 375 pF
- Coss Output Capacitance VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz
- 101 pF
- Crss Reverse Transfer Capacitance
- 11 pF
- Qg Total Gate Charge
- 26 nC
- Qgs Gate Source Charge VGS=10V, VDS=640V, ID=8A
- 7.3 nC
- Qgd Gate Drain Charge
- 9.1 nC
- tD(on) Turn-On DelayTime
- 35 ns
- tr Turn-On Rise Time VGS=10V, VDS=400V, ID=8A
- 51 ns
- tD(off) Turn-Off DelayTime RG=25Ω
- 69 ns
- tf Turn-Off Fall Time
- 41 ns
- 10V
- =40V
性能与环境
- Zero Gate Voltage Drain Current ID=250µA, VGS=0V
- 0 V/oC
- IGSS Gate-Body leakage current VDS=0V, VGS=±30V
- 100 nΑ
- VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS=5V, ID=250µA
- 3.9 V
- RDS(ON) Static Drain-Source On-Resistance VGS=10V, ID=4A
- 1.63 Ω
- VSD Diode Forward Voltage IS=1A,VGS=0V
- 1 V
- IS Maximum Body-Diode Continuous Current
- 7.4 A
- ISM Maximum Body-Diode Pulsed Current
- 26 A
- Rg Gate resistance VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz
- 3.5 Ω
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。