01 / 产品信息
产品概述
Alpha & Omega Semiconductor (AOS) AO3422（功率MOSFET（N沟道））面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- AOS
- 型号
- AO3422
- 品类
- 功率MOSFET（N沟道）
- 封装
- SOT-23
- 包装
- 卷盘
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
32 项结构与连接
- Continuous Drain TA=25°C
- 2.1
- Power Dissipation TA=70°C
- 0.8
- Maximum Junction-to-Ambient A t ≤ 10s
- 75 °C/W
- Maximum Junction-to-Ambient A Steady-State
- 115 °C/W
- Maximum Junction-to-Lead C Steady-State RqJL
- 48 °C/W
- VDS=44V, VGS=0V
- 1
- VGS=4.5V, ID=2.1A
- 125
- VGS=2.5V, ID=1.5A
- 157 mW
- gFS Forward Transconductance VDS=5V, ID=2.1A
- 11 S
- Ciss Input Capacitance
- 214 pF
- Coss Output Capacitance VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz
- 31 pF
- Crss Reverse Transfer Capacitance
- 12.6 pF
- Qg Total Gate Charge
- 2.6 nC
- Qgs Gate Source Charge VGS=4.5V, VDS=27.5V, ID=2.1A
- 0.6 nC
- Qgd Gate Drain Charge
- 0.8 nC
- tD(on) Turn-On DelayTime
- 2.3 ns
- tr Turn-On Rise Time VGS=10V, VDS=27.5V, RL=12W
- 2.4 ns
- tD(off) Turn-Off DelayTime RGEN=3W
- 16.5 ns
- tf Turn-Off Fall Time
- 2 ns
- trr Body Diode Reverse Recovery Time IF=2.1A, dI/dt=100A/ms
- 20 ns
性能与环境
- Drain-Source Voltage
- 55 V
- Gate-Source Voltage
- ±12 V
- Current A TA=70°C
- 1.7 A
- Junction and Storage Temperature Range TJ
- 55 to 150 °C
- BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage ID=10mA, VGS=0V
- 55 V
- IGSS Gate-Source leakage current VDS=0V, VGS=±12V
- 100 nA
- VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS=VGS ID=250mA
- 1.3 V
- ID(ON) On state drain current VGS=4.5V, VDS=5V
- 10 A
- RDS(ON) Static Drain-Source On-Resistance TJ=125°C
- 175
- VSD Diode Forward Voltage IS=1A
- 0.78 V
- IS Maximum Body-Diode Continuous Current
- 1 A
- Rg Gate resistance VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz
- 1.3 W
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。