01 / 产品信息
产品概述
Alpha & Omega Semiconductor (AOS) AO3415A（功率MOSFET（P沟道））面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- AOS
- 型号
- AO3415A
- 品类
- 功率MOSFET（P沟道）
- 封装
- SOT-23
- 包装
- 卷盘
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
34 项结构与连接
- Continuous Drain TA=25°C
- 5
- Power Dissipation TA=70°C
- 1
- Maximum Junction-to-Ambient A t ≤ 10s
- 65 °C/W
- Maximum Junction-to-Ambient A D Steady-State
- 85 °C/W
- Maximum Junction-to-Lead Steady-State RqJL
- 43 °C/W
- VDS=-20V, VGS=0V
- 1
- VGS=-4.5V, ID=-4A
- 34
- VGS=-1.8V, ID=-2A
- 52 mW
- VGS=-1.5V, ID=-1A
- 61 mW
- gFS Forward Transconductance VDS=-5V, ID=-4A
- 20 S
- Ciss Input Capacitance
- 751 pF
- Coss Output Capacitance VGS=0V, VDS=-10V, f=1MHz
- 115 pF
- Crss Reverse Transfer Capacitance
- 80 pF
- Qg Total Gate Charge
- 9.3 nC
- Qgs Gate Source Charge VGS=-4.5V, VDS=-10V, ID=-4A
- 1 nC
- Qgd Gate Drain Charge
- 2.2 nC
- tD(on) Turn-On DelayTime
- 13 ns
- tr Turn-On Rise Time VGS=-4.5V, VDS=-10V, RL=2.5W
- 9 ns
- tD(off) Turn-Off DelayTime RGEN=3W
- 19 ns
- tf Turn-Off Fall Time
- 29 ns
- trr Body Diode Reverse Recovery Time IF=-4A, dI/dt=500A/ms
- 26 ns
- Qrr Body Diode Reverse Recovery Charge IF=-4A, dI/dt=500A/ms
- 51 nC
性能与环境
- Drain-Source Voltage
- 20 V
- Gate-Source Voltage
- ±8 V
- Current TA=70°C
- 4 A
- Junction and Storage Temperature Range TJ
- 55 to 150 °C
- BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage ID=-250mA, VGS=0V
- 20 V
- IGSS Gate-Body leakage current VDS=0V, VGS= ±8V
- ±10 mA
- VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS=VGS, ID=-250mA
- 0.57 V
- ID(ON) On state drain current VGS=-4.5V, VDS=-5V
- 30 A
- RDS(ON) Static Drain-Source On-Resistance VGS=-2.5V, ID=-4A
- 42 mW
- VSD Diode Forward Voltage IS=-1A,VGS=0V
- 0.64 V
- IS Maximum Body-Diode Continuous Current
- 2 A
- Rg Gate resistance VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz
- 13 W
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。