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维安 / SGT MOSFET

WMLL013N08HGS

Wayon(维安) WMLL013N08HGS(MOSFET(SGT N沟道))为原装正品功率分立器件,耐压、电流与热阻参数以官方 Datasheet 为准,欢迎询价索样。

全新原装 支持样品与批量采购
产品标识
维安SGT MOSFET
WMLL013N08HGS
产品外观请参考原厂资料
封装
TOLL

产品概述

Wayon(维安) WMLL013N08HGS(MOSFET(SGT N沟道))面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源,Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。

厂商
维安
型号
WMLL013N08HGS
品类
SGT MOSFET
封装
TOLL
包装
卷带
成色
全新原装
合规
符合 RoHS
生命周期
与原厂确认
交期 / 最小起订量
以报价为准

技术参数

28 项

结构与连接

Single Pulse Avalanche Energy2
1280 mJ
Total Power Dissipation TC=25°C
468.8 W
Forward Transconductance4 gfs VDS=10V, ID=20A
62 S
Input Capacitance Ciss
13085
Output Capacitance Coss
2615 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss
120
Total Gate Charge Qg
243.6
Gate-Source Charge Qgs
64.2 nC
Gate-Drain Charge Qgd
58.8
Turn-on Delay Time td(on)
44.8
Rise Time tr VGS =10V, VDD =40V
86.8
Turn-off Delay Time td(off)
164
Fall Time tf
94
Body Diode Reverse Recovery Time trr
128 ns
Body Diode Reverse Recovery Charge Qrr
140.8 nC
Rev.1.2, 2024 www.way-on.com
8/8

性能与环境

Drain-Source Voltage
80 V
Gate-Source Voltage
±20 V
Operating Junction and Storage Temperature Range TJ , TSTG
55 to 175 °C
Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 RθJA
39 °C/W
Thermal Resistance from Junction-to-Case RθJC
0.32 °C/W
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 250µA
80 V
Gate-body Leakage current lGSS VDS = 0V, VGS = ±20V
±100 nA
Gate-Threshold Voltage VGS(th) VDS = VGS, ID = 250µA
3 V
Drain-Source on-Resistance4 RDS(on) VGS = 10V, ID = 20A
1.05 mΩ
Gate Resistance Rg f =1MHz
3.1 Ω
Diode Forward Voltage4 VSD IS = 20A, VGS = 0V
1.2 V
Continuous Source Current TC=25°C IS
400 A

规格与文档

请使用原厂官方文档,在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。

采购前常见问题

海外采购高频疑问与选型要点,帮助您在询价前快速核对关键参数与来源。

WMLL013N08HGS 有什么 Pin-to-Pin 直接替代型号?

WMLL013N08HGS 为TOLL 封装的N 沟道 80 V / 80 V MOSFET。Pin-to-Pin 兼容替代须同时满足三项:V_DS ≥ 80 V、R_DS(on) ≤ 1.05 mΩ、以及完全相同的 TOLL 封装。替换前请核对雪崩耐量与栅极电荷(Q_g≈243.6)是否匹配你的驱动电路。

MOSFET 替代料怎么选?

三个核对点:(1) 耐压 V_DS 须 ≥ 原型号并预留约 20% 尖峰余量;(2) 导通电阻 R_DS(on) 应 ≤ 原型号,且按实际工作温度评估;(3) 封装须一致(TO-220 不可直接换 TO-263)。同时确认栅极电荷 Q_g 与雪崩耐量匹配,否则需重新测试驱动。

对比 MOSFET 时最关键看哪些参数?

重点看 V_DS(耐压)、I_D(按实际壳温而非仅 25 °C 标称的连续电流)、R_DS(on)(导通损耗)、Q_g(开关速度/驱动匹配)。感性负载还需关注雪崩耐量。

怎么判断是原装正品、避免假货?

仅从授权或正规代理渠道采购。到货后核对:(1) 激光丝印,溶剂擦不掉;(2) 标签与器件批次码一致;(3) 原厂编带或管装包装;(4) 索取追溯文件(COC、Date Code)。关键料建议委托第三方 X-ray / 开盖检测。

怎么看芯片丝印和批号?

多数有源器件采用 4 位批号 YYWW(年+周,如 2345 = 2023 第 45 周)。顶面丝印 = 厂牌 LOGO + 基础型号 + 批次码。SMD 丝印反查可用 AllDataSheet / Octopart / 立创,按「丝印码 + 封装」检索。

封装代码(TO-220、SOT-23、QFP 等)是什么意思?

封装代码描述器件的物理外形与引脚排列——采购时至关重要,因为电气性能相同但封装不同的料无法焊接到原 PCB。常见:TO-220(三端功率)、SOT-23(3 脚小信号)、DIP/SOIC(直插/贴片 IC)、QFP/QFN(MCU、处理器)。

原型号停产了(EOL / NRND)怎么办?

三种方案:(1) 原厂推荐替代型号;(2) 授权分销商库存尾货;(3) 功能兼容的跨品牌料——前提是引脚与关键参数匹配。量产前务必在真实电路上验证。

最小起订量(MOQ)和交期是多少?

我们支持样品与小批量、以及批量订单。最小起订量、现货与交期按询价确认——提供型号与数量即可报价。设计验证用样品可申请。

能下载规格书和拿样品吗?

本页提供完整规格书链接。若暂无直接链接,可代为查找原厂资料。样品申请支持——联系时请提供型号与数量。

请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价,最终规格以报价为准。