产品概述
Wayon（维安） WMB072N12HG2（MOSFET(SGT N沟道)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 维安
- 型号
- WMB072N12HG2
- 品类
- SGT MOSFET
- 封装
- PDFN5x6-8L
- 包装
- 卷带
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
技术参数
29 项结构与连接
- Single Pulse Avalanche Energy3
- 168.2 mJ
- Total Power Dissipation4 TC=25°C
- 104 W
- Forward Transconductance2 gfs VDS = 5V
- = 20A 87-S
- VR =60V, IF=
- 20A
- Forward Transconductance2 gfs VDS = 5V, ID = 20A
- 87 S
- Input Capacitance Ciss
- 3750
- Output Capacitance Coss VDS = 50V, VGS =0V, f =1MHz
- 471 pF
- Reverse Transfer Capacitance Crss
- 12
- Total Gate Charge Qg
- 43
- Gate-Source Charge Qgs VGS = 10V, VDD = 60V, ID= 20A
- 7.7 nC
- Gate-Drain Charge Qgd
- 6.7
- Turn-on Delay Time td(on)
- 14.3
- Rise Time tr VGS =10V, VDD = 60V,RG = 10Ω
- 7.8
- Turn-off Delay Time td(off)
- 29
- Fall Time tf
- 8.6
- Reverse Recovery Time trr
- 46 ns
- Reverse Recovery Charge Qrr
- 278 nC
性能与环境
- Drain-Source Voltage
- 120 V
- Gate-Source Voltage
- ±20 V
- Thermal Resistance from Junction-to-Ambient1 RθJA
- 56 °C/W
- Thermal Resistance from Junction-to-Case RθJC
- 1.2 °C/W
- Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS = 0V
- = 250µA --V
- Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 250µA
- 120 V
- Gate-body Leakage Current lGSS VDS = 0V, VGS = ±20V
- ±100 nA
- Gate-Threshold Voltage VGS(th) VDS = VGS, ID = 250µA
- 3 V
- Drain-Source On-Resistance2 RDS(on) VGS = 10V, ID = 20A
- 6 mΩ
- Gate Resistance Rg VDS = 0V, VGS =0V, f =1MHz
- 2.2 Ω
- Diode Forward Voltage2 VSD IS = 20A, VGS = 0V
- 1.2 V
- Continuous Source Current1,5 IS VG=VD=0V , Force Current
- 90 A
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
采购前常见问题
海外采购高频疑问与选型要点，帮助您在询价前快速核对关键参数与来源。
WMB072N12HG2 有什么 Pin-to-Pin 直接替代型号？
WMB072N12HG2 为PDFN5x6-8L 封装的N 沟道 120 V / 120 V MOSFET。Pin-to-Pin 兼容替代须同时满足三项：V_DS ≥ 120 V、R_DS(on) ≤ 6 mΩ、以及完全相同的 PDFN5x6-8L 封装。替换前请核对雪崩耐量与栅极电荷（Q_g≈43）是否匹配你的驱动电路。
MOSFET 替代料怎么选？
三个核对点：(1) 耐压 V_DS 须 ≥ 原型号并预留约 20% 尖峰余量；(2) 导通电阻 R_DS(on) 应 ≤ 原型号，且按实际工作温度评估；(3) 封装须一致（TO-220 不可直接换 TO-263）。同时确认栅极电荷 Q_g 与雪崩耐量匹配，否则需重新测试驱动。
对比 MOSFET 时最关键看哪些参数？
重点看 V_DS（耐压）、I_D（按实际壳温而非仅 25 °C 标称的连续电流）、R_DS(on)（导通损耗）、Q_g（开关速度/驱动匹配）。感性负载还需关注雪崩耐量。
怎么判断是原装正品、避免假货？
仅从授权或正规代理渠道采购。到货后核对：(1) 激光丝印，溶剂擦不掉；(2) 标签与器件批次码一致；(3) 原厂编带或管装包装；(4) 索取追溯文件（COC、Date Code）。关键料建议委托第三方 X-ray / 开盖检测。
怎么看芯片丝印和批号？
多数有源器件采用 4 位批号 YYWW（年+周，如 2345 = 2023 第 45 周）。顶面丝印 = 厂牌 LOGO + 基础型号 + 批次码。SMD 丝印反查可用 AllDataSheet / Octopart / 立创，按「丝印码 + 封装」检索。
封装代码（TO-220、SOT-23、QFP 等）是什么意思？
封装代码描述器件的物理外形与引脚排列——采购时至关重要，因为电气性能相同但封装不同的料无法焊接到原 PCB。常见：TO-220（三端功率）、SOT-23（3 脚小信号）、DIP/SOIC（直插/贴片 IC）、QFP/QFN（MCU、处理器）。
原型号停产了（EOL / NRND）怎么办？
三种方案：(1) 原厂推荐替代型号；(2) 授权分销商库存尾货；(3) 功能兼容的跨品牌料——前提是引脚与关键参数匹配。量产前务必在真实电路上验证。
最小起订量（MOQ）和交期是多少？
我们支持样品与小批量、以及批量订单。最小起订量、现货与交期按询价确认——提供型号与数量即可报价。设计验证用样品可申请。
能下载规格书和拿样品吗？
本页提供完整规格书链接。若暂无直接链接，可代为查找原厂资料。样品申请支持——联系时请提供型号与数量。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。