产品概述
Infineon BSS84PWH6327XTSA1（MOSFET(小信号)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 英飞凌
- 型号
- BSS84PWH6327XTSA1
- 品类
- 小信号MOSFET
- 封装
- SOT-323
- 包装
- 卷带
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
技术参数
30 项结构与连接
- Avalanche energy, single pulse
- 2.61 mJ
- Avalanche energy, periodic limited by Tjmax
- 0.03
- Reverse diode dv/dt dv/dt
- 6 kV/µs
- Power dissipation Ptot
- 0.3 W
- Rev 2.0 Page 1
- 2016-06- 21
- VDS = -60 V, V GS = 0 V, T j = 25 °C
- 0.1
- VDS = -60 V, V GS = 0 V, T j = 125 °C
- 10
- Rev 2.0 Page 2
- 2016-0 6-21
- Transconductance g fs V DS£2*ID*R DS(on)max , 0.08
- 0.16 S
- Input capacitance Ciss V GS=0V, VDS=-25V
- 15.3 pF
- Output capacitance Coss f=1MHz
- 5.8
- Reverse transfer capacitance Crss
- 3
- Turn-on delay time t d(on) V DD=-30V, V GS=-4.5V
- 6.7 ns
- Rise time tr ID=-0.12A, RG=25W
- 16.2
- Turn-off delay time t d(off)
- 8.6
- Fall time tf
- 20.5
- Gate to source charge Q gs V DD=-48V, I D=-0.15A
- 0.25 nC
- Gate to drain charge Q gd
- 0.3
- Gate charge total Qg V DD=-48V, I D=-0.15A
- 1
- Reverse recovery time t rr V R=-30V, I F=l S
- 23.6 ns
- Reverse recovery charge Q rr diF/dt=100A/µs
- 11.6 nC
- Rev 2.0 Page 3
- 2016-06- 21
性能与环境
- Continuous drain current
- 0.15 A
- Gate source voltage
- ±20 V
- Operating and storage temperature Tj , Tstg -5
- 5...+150 °C
- Gate threshold voltage, VGS = VDS VGS(th) -1
- 1.5
- Gate-source leakage current IGSS
- 10 nA
- Drain-source on-state resistance RDS(on)
- 10.5 W
- Gate plateau voltage V(plateau) V DD=-48V, ID=-0.15A
- 3.4 V
- Inverse diode forward voltage VSD V GS=0V, IF=-0.15A
- 0.84
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
采购前常见问题
海外采购高频疑问与选型要点，帮助您在询价前快速核对关键参数与来源。
BSS84PWH6327XTSA1 有什么 Pin-to-Pin 直接替代型号？
BSS84PWH6327XTSA1 为SOT-323 封装的N 沟道 1.5 / 0.15 A MOSFET。Pin-to-Pin 兼容替代须同时满足三项：V_DS ≥ 1.5、R_DS(on) ≤ 10.5 W、以及完全相同的 SOT-323 封装。替换前请核对雪崩耐量与栅极电荷（Q_g≈1）是否匹配你的驱动电路。
MOSFET 替代料怎么选？
三个核对点：(1) 耐压 V_DS 须 ≥ 原型号并预留约 20% 尖峰余量；(2) 导通电阻 R_DS(on) 应 ≤ 原型号，且按实际工作温度评估；(3) 封装须一致（TO-220 不可直接换 TO-263）。同时确认栅极电荷 Q_g 与雪崩耐量匹配，否则需重新测试驱动。
对比 MOSFET 时最关键看哪些参数？
重点看 V_DS（耐压）、I_D（按实际壳温而非仅 25 °C 标称的连续电流）、R_DS(on)（导通损耗）、Q_g（开关速度/驱动匹配）。感性负载还需关注雪崩耐量。
怎么判断是原装正品、避免假货？
仅从授权或正规代理渠道采购。到货后核对：(1) 激光丝印，溶剂擦不掉；(2) 标签与器件批次码一致；(3) 原厂编带或管装包装；(4) 索取追溯文件（COC、Date Code）。关键料建议委托第三方 X-ray / 开盖检测。
怎么看芯片丝印和批号？
多数有源器件采用 4 位批号 YYWW（年+周，如 2345 = 2023 第 45 周）。顶面丝印 = 厂牌 LOGO + 基础型号 + 批次码。SMD 丝印反查可用 AllDataSheet / Octopart / 立创，按「丝印码 + 封装」检索。
封装代码（TO-220、SOT-23、QFP 等）是什么意思？
封装代码描述器件的物理外形与引脚排列——采购时至关重要，因为电气性能相同但封装不同的料无法焊接到原 PCB。常见：TO-220（三端功率）、SOT-23（3 脚小信号）、DIP/SOIC（直插/贴片 IC）、QFP/QFN（MCU、处理器）。
原型号停产了（EOL / NRND）怎么办？
三种方案：(1) 原厂推荐替代型号；(2) 授权分销商库存尾货；(3) 功能兼容的跨品牌料——前提是引脚与关键参数匹配。量产前务必在真实电路上验证。
最小起订量（MOQ）和交期是多少？
我们支持样品与小批量、以及批量订单。最小起订量、现货与交期按询价确认——提供型号与数量即可报价。设计验证用样品可申请。
能下载规格书和拿样品吗？
本页提供完整规格书链接。若暂无直接链接，可代为查找原厂资料。样品申请支持——联系时请提供型号与数量。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。