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贝岭 / 存储器(EEPROM/Flash)

BL24C02F-PARC

BEILING BL24C02F-PARC Memory (EEPROM/Flash)

全新原装 支持样品与批量采购
产品标识
贝岭存储器(EEPROM/Flash)
BL24C02F-PARC
产品外观请参考原厂资料

产品概述

贝岭 BL24C02F-PARC Memory (EEPROM/Flash)

厂商
贝岭
型号
BL24C02F-PARC
品类
存储器(EEPROM/Flash)
成色
全新原装
生命周期
与原厂确认
交期 / 最小起订量
以报价为准

技术参数

28 项

结构与连接

Input Low Level
0.3
Output Low Level VCC=1.7V
0.2
Output Low Level VCC=5.0V
0.4
Input/Output Capacitance(SDA)
8 pFVIO=0V
Input Capacitance(A0,A1,A2,SCL)
6 pFVIN=0V
Clock Frequency, SCL fSCL
1000 kHz
Clock Pulse Width Low tLOW
0.5 μs
Clock Pulse Width High tHIGH
0.26 μs
Noise Suppression Time tI
50 ns
Clock Low to Data Out Valid tAA
0.45 μs
tBUF
0.5 μs
Start Hold Time tHD:STA
0.26 μs
Start Setup Time tSU:STA
0.26 μs
Data In Hold Time tHD:DAT
0 μs
Data In Setup Time tSU:DAT
50 ns
Stop Setup Time tSU:STO
0.26 μs
Data Out Hold Time tDH
50 ns
Write Cycle Time tWR
3 ms
5.0V,25℃,Byte Mode(1) Endurance
1M
20 ns and le
300 n
Input rise a
50 ns
BL24C02F 2K
6×8)
BL24C02F 2K bits (
256×8)

性能与环境

Supply Voltage
5.5 V@400kHz
Supply Current VCC=5.0V
0.14
Input Leakage Current
0.10
Output Leakage Current
0.05
Applicable over recommended operating range from
+2.5V

规格与文档

请使用原厂官方文档,在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。

请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价,最终规格以报价为准。