高压 GreenMOS 系列
| 系列 | 规格 | 应用 |
|---|
| Generic 通用系列 | 5A-80A, 500V-900V | 全场景应用 |
| E-Series | 5A-20A, 650V | TV/Monitor PSU，EMI性能均衡 |
| S-Series | 8A-80A, 650V | 充电器/适配器，EMI优化 |
| Z-Series | 11A-80A, 650V | 半桥/全桥电机驱动，集成FRD |
| OSS-Series | 11A-38A, 650V | 超快开关，GaN替代方案 |
中低压 SGTMOS / SFGMOS 系列
SFGMOS系列MOSFET采用半浮栅结构，兼备了传统平面结构和SGT结构的功率MOSFET的优点，具有更高的工艺稳定性和可靠性，以及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率。产品涵盖20V~200V全系列，广泛应用于电机驱动、同步整流等领域。
| 系列 | 电压范围 | 类型 |
|---|
| SGT-I | 30-250V | N-Channel SGT MOSFET |
| SGT-II | 30-120V | N-Channel SGT MOSFET |
| SJ-III | 500-800V | N-Channel Super Junction |
| SJ-IV | 500-1050V | N-Channel Super Junction |
Auto MOSFET 汽车级
| 类型 | 电压范围 |
|---|
| N-Channel Automotive MOSFET | 12-300V |
| P-Channel Automotive MOSFET | 12-150V |
| Complementary MOSFET (N+P) | 12-300V |
| Half-Bridge N-Channel MOSFET | 12-300V |
IGBT
IGBT芯片采用特有的 Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBT) 器件结构，实现更低导通压降与更小开关损耗。
| 电压等级 | 特性 |
|---|
| 600-650V | 出色导通压降、极短拖尾电流、优秀短路性能 |
| 1200-1350V | 出色导通压降、极短拖尾电流、优秀短路性能 |
