01 / 产品信息
产品概述
N 沟道小信号 MOSFET, 100V, 700mA
- 厂商
- Diodes Incorporated
- 型号
- ZXMN10A07FTA
- 品类
- 小信号MOSFET
- 成色
- 全新原装
- 合规
- ROHS3 Compliant; REACH Unaffected
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
11 项结构与连接
- FET Type
- N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 700mOhm @ 1.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 2.9 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 138 pF @ 50 V
- Power Dissipation (Max)
- 625mW (Ta)
- Supplier Device Package
- SOT-23-3
性能与环境
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 100 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 700mA (Ta)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
湿敏等级 (MSL): 1 (Unlimited)
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。