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广东致能 / GaN功率器件(GaN HEMT)

ZN65C1R070L

Guangdong Zhineng (广东致能) ZN65C1R070L(GaN功率器件(GaN HEMT))为原装正品功率分立器件,耐压、电流与热阻参数以官方 Datasheet 为准,欢迎询价索样。

全新原装 支持样品与批量采购
产品标识
广东致能GaN功率器件(GaN HEMT)
ZN65C1R070L
产品外观请参考原厂资料
封装
DFN 8x8

产品概述

Guangdong Zhineng (广东致能) ZN65C1R070L(GaN功率器件(GaN HEMT))面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源,Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。

厂商
广东致能
型号
ZN65C1R070L
品类
GaN功率器件(GaN HEMT)
封装
DFN 8x8
成色
全新原装
生命周期
与原厂确认
交期 / 最小起订量
以报价为准

技术参数

12 项

结构与连接

VDS, max
650 V
Transient VDSS(TR)
800 V
ID @Tc=25°C
24 A
ID @Tc=100°C
15 A
RDS(on) typ
70 mΩ
QG typ
9.5 nC
QRR typ
110 nC
VGSS
±20 V
Power Dissipation (PD)
96 W
Package
DFN 8x8

性能与环境

Thermal Resistance Rth(j-c)
1.3 °C/W
Operating Temperature
-55°C to +150°C

规格与文档

请使用原厂官方文档,在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。

请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价,最终规格以报价为准。