01 / 产品信息
产品概述
ZH639D0JT 是一款用于 MOSFET 和 IGBT 功率级的半桥栅极驱动器，工作电压为 5V 至 12V，拉电流和灌电流均为 2.5A。具备死区控制、交叉导通保护及内置自举二极管，采用 TSSOP-20 封装。
- 厂商
- Semiment
- 型号
- ZH639D0JT
- 品类
- 栅极驱动(Gate Driver)
- 封装
- TSSOP-20
- 包装
- 卷带
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
15 项结构与连接
- Driven Configuration
- Half-Bridge
- Rise Time
- 100ns
- Fall Time
- 50ns
- Low Level Delay Time
- 100ns
- High Level Delay Time
- 100ns
- Input Logic Level - Low
- 700mV
- Input Logic Level - High
- 2.2V
- Load Type
- MOSFET; IGBT
- Features
- Dead-time control; Interleaved conduction protection; Built-in bootstrap diode
- Package
- TSSOP-20
性能与环境
- Voltage - Supply
- 5V~12V
- Current - Output Low (IOL)
- 2.5A
- Current - Output High (IOH)
- 2.5A
- Quiescent Current
- 50uA
- Operating Temperature
- -40℃~+125℃
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。