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维安 / MOSFET(P沟道)

WMS05P06T1

Wayon(维安) WMS05P06T1(MOSFET(P沟道))为原装正品功率分立器件,耐压、电流与热阻参数以官方 Datasheet 为准,欢迎询价索样。

全新原装 支持样品与批量采购
产品标识
SOIC-8 通用封装等距示意,非该型号实物图

等距示意图,可切顶视或旋转 3D。

SOIC-8 · 通用封装示意

按目录封装字段展示,尚未逐料号核对。尺寸、极性和引脚定义请查原厂资料。查看型号资料 ↓
封装结构参考 · 非工程尺寸图
封装
SOP-8

产品概述

Wayon(维安) WMS05P06T1(MOSFET(P沟道))面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源,Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。

厂商
维安
型号
WMS05P06T1
品类
MOSFET(P沟道)
封装
SOP-8
包装
卷带
成色
全新原装
合规
符合 RoHS
生命周期
与原厂确认
交期 / 最小起订量
以报价为准

技术参数

15 项

结构与连接

Vds (VDSS)
-60 V
Id (Tc=25°C)
-4.5 A
Id (Tc=100°C)
-2.8 A
Idm (pulsed)
-18 A
Vgs
±20 V
Pd
3.1 W
BVDSS
-60 V
Vgs(th)
-1 ~ -2.5 V (typ -1.6)
Rds(on)
66 mΩ (typ) / 90 mΩ (max)
Ciss
1015 pF
Coss
50 pF
Crss
35 pF
Qg (total)
15 nC
Package
SOP-8L

性能与环境

Operating Temperature
-55 to 150 °C

规格与文档

请使用原厂官方文档,在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。

请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价,最终规格以报价为准。