01 / 产品信息
产品概述
N 沟道功率 MOSFET, 150V, 14A
- 厂商
- 维安
- 型号
- WMQ680N15HG4
- 品类
- 功率MOSFET
- 成色
- 全新原装
- 合规
- RoHS Compliant & Halogen-Free
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
11 项结构与连接
- FET Type
- N-Channel
- RDS(on)
- 55 mΩ @ VGS=10 V (typ)
- Single Pulse Avalanche Energy (EAS)
- 9.8 mJ
- Power Dissipation (PD)
- 27.8 W
- RθJC
- 4.5 °C/W
性能与环境
- Drain-Source Voltage (VDS)
- 150 V
- Continuous Drain Current (ID)
- 14 A (Tc=25°C); 8.6 A (Tc=100°C)
- Gate-Source Voltage (VGS)
- ±20 V
- Pulsed Drain Current (IDM)
- 56 A
- Thermal Resistance RθJA
- 60 °C/W
- Operating Temperature
- -55 to 150°C
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。