01 / 产品信息
产品概述
Wayon（维安） WMQ42P03T1（MOSFET(P沟道)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 维安
- 型号
- WMQ42P03T1
- 品类
- MOSFET(P沟道)
- 封装
- PDFN3030-8L
- 包装
- 卷带
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
30 项结构与连接
- Single Pulse Avalanche Energy2
- 45 mJ
- Total Power Dissipation TC=25°C
- 37 W
- VGS = -10V, ID = -30A
- 7.5
- VGS = -4.5V, ID = -15A
- 10.5
- Forward Transconductance4 gfs VDS = -5V, ID = -30A
- 57 S
- Input Capacitance Ciss
- 2396
- Output Capacitance Coss
- 325 pF
- Reverse Transfer Capacitance Crss
- 283
- Total Gate Charge Qg
- 30
- Gate-Source Charge Qgs
- 5 nC
- Gate-Drain Charge Qgd
- 7.5
- Turn-On Delay Time td(on)
- 14.1
- Rise Time tr VGS = -10V, VDD = -15V
- 20
- Turn-Off Delay Time td(off)
- 94
- Fall Time tf
- 65
- Body Diode Reverse Recovery Time trr
- 19 ns
- Body Diode Reverse Recovery Charge Qrr
- 9 nC
- Rev.8.0, 2024 www.way-on.com
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性能与环境
- Drain-Source Voltage
- 30 V
- Gate-Source Voltage
- ±20 V
- Operating Junction and Storage Temperature Range TJ, TSTG
- 55 to 150 °C
- Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 RθJA
- 75 °C/W
- Thermal Resistance from Junction-to-Case RθJC
- 3.36 °C/W
- Gate-Threshold Voltage VGS(th) VDS = VGS, ID = -250µA
- 1.0 V
- Gate-body Leakage current lGSS VDS = 0V, VGS = ±20V
- ±100 nA
- Zero Gate Voltage Drain TJ=25℃
- 1
- Current
- 100
- Gate Resistance Rg f =1MHz
- 10.5 Ω
- Diode Forward Voltage4 VSD IS = -1A, VGS = 0V
- 1.2 V
- Continuous Source Current TC=25°C IS
- 42 A
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。