电子元器件采购与分销 · 始于 2004 年 richard@fastspeed-ic.com ↗
English 上传 BOM 获取报价
维安 / MOSFET(SGT N沟道)

WMQ090N04LG2

Wayon(维安) WMQ090N04LG2(MOSFET(SGT N沟道))为原装正品功率分立器件,耐压、电流与热阻参数以官方 Datasheet 为准,欢迎询价索样。

全新原装 支持样品与批量采购
产品标识
维安MOSFET(SGT N沟道)
WMQ090N04LG2
产品外观请参考原厂资料
封装
PDFN3030-8L

产品概述

Wayon(维安) WMQ090N04LG2(MOSFET(SGT N沟道))面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源,Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。

厂商
维安
型号
WMQ090N04LG2
品类
MOSFET(SGT N沟道)
封装
PDFN3030-8L
成色
全新原装
生命周期
与原厂确认
交期 / 最小起订量
以报价为准

技术参数

12 项

结构与连接

Vds (VDSS)
40 V
Id (Tc=25°C)
90 A
Idm (pulsed)
160 A
Vgs
±20 V
Pd
27.7 W
BVDSS
40 V
Vgs(th)
1.0 ~ 2.5 V (typ 1.6)
Rds(on)
5.7 mΩ (typ) / 8.5 mΩ (max)
Ciss
795 pF
Vsd (body diode)
1.2 V
Package
PDFN3030-8L

性能与环境

Operating Temperature
-55 to 150 °C

规格与文档

请使用原厂官方文档,在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。

请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价,最终规格以报价为准。