01 / 产品信息
产品概述
Wayon（维安） WMQ018N03LG4（MOSFET(SGT N沟道)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 维安
- 型号
- WMQ018N03LG4
- 品类
- MOSFET(SGT N沟道)
- 封装
- PDFN5060-8L
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
29 项结构与连接
- Single Pulse Avalanche Energy2
- 180 mJ
- Total Power Dissipation TC=25°C
- 66 W
- VGS = 4
- 5V, ID =15A .7
- VGS = 10V, ID = 20A
- 1.35
- VGS = 4.5V, ID =15A
- 2
- Forward Transconductance4 gfs VDS = 10V, ID = 20A
- 85 S
- Input Capacitance Ciss
- 2554
- Output Capacitance Coss
- 924 pF
- Reverse Transfer Capacitance Crss
- 73.5
- Total Gate Charge Qg
- 39.1
- Gate-Source Charge Qgs
- 6.7 nC
- Gate-Drain Charge Qgd
- 5.9
- Turn-On Delay Time td(on)
- 10
- Rise Time tr VGS =10V, VDD = 15V
- 7.3
- Turn-Off Delay Time td(off)
- 38.6
- Fall Time tf
- 16.4
- Body Diode Reverse Recovery Time trr
- 54 ns
- Body Diode Reverse Recovery Charge Qrr
- 27 nC
性能与环境
- Drain-Source Voltage
- 30 V
- Gate-Source Voltage
- ±20 V
- Operating Junction and Storage Temperature Range TJ , TSTG
- 55 to 150 °C
- Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 RθJA
- 60 °C/W
- Thermal Resistance from Junction-to-Case RθJC
- 1.9 °C/W
- Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 250µA
- 30 V
- Gate-body Leakage Current lGSS VDS = 0V, VGS = ±20V
- ±100 nA
- Gate-Threshold Voltage VGS(th) VDS = VGS, ID = 250µA
- 1.7 V
- Gate Resistance Rg f = 1MHz
- 0.98 Ω
- Diode Forward Voltage4 VSD IS = 20A, VGS = 0V
- 1.2 V
- Continuous Source Current TC=25°C IS
- 150 A
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。