01 / 产品信息
产品概述
Wayon（维安） WMO10N60C4（MOSFET(超结SJ)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 维安
- 型号
- WMO10N60C4
- 品类
- SJ MOSFET(超级结)
- 封装
- TO-252
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
16 项结构与连接
- Vds (VDSS)
- 600 V
- Id (Tc=25°C)
- 8 A
- Id (Tc=100°C)
- 4.8 A
- Idm (pulsed)
- 19 A
- Vgs
- ±30 V
- Pd
- 27 W
- BVDSS
- 600 V
- Vgs(th)
- 2 ~ 4 V (typ 3)
- Rds(on)
- 0.52 Ω (typ) / 0.6 Ω (max)
- Ciss
- 415 pF
- Crss
- 0.95 pF
- Qg (total)
- 99.6 nC
- Qgs
- 1.7 nC
- Vsd (body diode)
- 1.2 V
- Package
- TO-2200F
性能与环境
- Operating Temperature
- -55 to 150 °C
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。