01 / 产品信息
产品概述
N 沟道超结 MOSFET, 650V, 10.5A
- 厂商
- 维安
- 型号
- WMN26N65C4
- 品类
- SJ MOSFET(超级结)
- 成色
- 全新原装
- 合规
- RoHS compliant
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
10 项结构与连接
- VDSS (V)
- 650
- ID (A)
- 18
- VGS (V)
- ±30
- PD (W)
- 135
- RDS(on) Typ (Ω)
- 0.16
- RDS(on) Max (Ω)
- 0.19
- VGS(th) (V)
- 4
- Qg (nC)
- 22.1
- RθJC (°C/W)
- 0.9
- Package
- TO-262
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。