01 / 产品信息
产品概述
N 沟道超结 MOSFET, 800V, 13A
- 厂商
- 维安
- 型号
- WMM80R260S
- 品类
- SJ MOSFET(超级结)
- 成色
- 全新原装
- 合规
- 符合 RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
10 项结构与连接
- Transistor Type
- N-MOSFET
- Technology
- WMOS™ S
- Power Dissipation P_D (W)
- 227
- R_DS(on) (mΩ)
- 255 (max), 0.22 (typ)
- Gate Charge Q_g (nC)
- 39
- Package
- TO-263 (D2PAK)
性能与环境
- Drain-Source Voltage V_DS (V)
- 800
- Drain Current I_D (A)
- 13
- Pulsed Drain Current I_DM (A)
- 78
- Gate-Source Voltage V_GS (V)
- ±30
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。