01 / 产品信息
产品概述
Wayon（维安） WMM30P10TS（MOSFET(P沟道)）面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源，Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。
- 厂商
- 维安
- 型号
- WMM30P10TS
- 品类
- MOSFET(P沟道)
- 封装
- TO-263
- 成色
- 全新原装
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
28 项结构与连接
- Single Pulse Avalanche Energy2
- 156.8 mJ
- Total Power Dissipation TC=25°C
- 122.5 W
- VDS =
- 50V, VGS =0V
- Rise Time tr VGS =-1
- 0V, VDD= -50V, 38.7
- VGS = -10V, ID = -20A
- 41
- VGS = -4.5V, ID = -10A
- 44
- Forward Transconductance4 gfs VDS = -10V, ID = -20A
- 44 S
- Input Capacitance Ciss
- 4100
- Output Capacitance Coss
- 145 pF
- Reverse Transfer Capacitance Crss
- 129
- Total Gate Charge Qg
- 115
- Gate-Source Charge Qgs
- 19.3 nC
- Gate-Drain Charge Qgd
- 16
- Turn-on Delay Time td(on)
- 14.1
- Rise Time tr VGS =-10V, VDD= -50V
- 38.7
- Turn-off Delay Time td(off)
- 65
- Fall Time tf
- 37.3
- Rev.1.0, 2025 www.way-on.com
- 8 / 8
性能与环境
- Drain-Source Voltage
- 100 V
- Gate-Source Voltage
- ±20 V
- Operating Junction and Storage Temperature Range TJ, TSTG
- 55 to 150 °C
- Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 RθJA
- 58 °C/W
- Thermal Resistance from Junction-to-Case RθJC
- 1.02 °C/W
- Gate-body Leakage current lGSS VDS = 0V, VGS = ±20V
- ±100 nA
- Gate-Threshold Voltage VGS(th) VDS = VGS, ID = -250µA
- 1.75 V
- Gate Resistance Rg f =1MHz
- 11 Ω
- Diode Forward Voltage4 VSD IS = -20A, VGS = 0V
- 1.2 V
- Continuous Source Current TC=25°C IS
- 35 A
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。