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维安 / MOSFET(SGT N沟道)

WMLL017N10HGS-C

Wayon(维安) WMLL017N10HGS-C(MOSFET(SGT N沟道))为原装正品功率分立器件,耐压、电流与热阻参数以官方 Datasheet 为准,欢迎询价索样。

全新原装 支持样品与批量采购
产品标识
维安MOSFET(SGT N沟道)
WMLL017N10HGS-C
产品外观请参考原厂资料
封装
TOLL

产品概述

Wayon(维安) WMLL017N10HGS-C(MOSFET(SGT N沟道))面向电机驱动、电源转换与功率放大等高压大电流应用。原装正品货源,Rds(on)、Vceo 与封装热性能以官方 Datasheet 为准。欢迎咨询批量报价与现货。

厂商
维安
型号
WMLL017N10HGS-C
品类
MOSFET(SGT N沟道)
封装
TOLL
包装
卷带
成色
全新原装
合规
符合 RoHS
生命周期
与原厂确认
交期 / 最小起订量
以报价为准

技术参数

11 项

结构与连接

Vds (VDSS)
100 V
Id (Tc=25°C)
370 A
Id (Tc=100°C)
234 A
Idm (pulsed)
1480 A
Vgs
±20 V
Pd
468.8 W
BVDSS
100 V
Rds(on)
< 1.7 mΩ @10V (typ)
Qg (total)
102 nC
Package
TOLL

性能与环境

Operating Temperature
-55 to +175 °C

规格与文档

请使用原厂官方文档,在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。

请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价,最终规格以报价为准。