01 / 产品信息
产品概述
N 沟道超结 MOSFET, 650V, 8A
- 厂商
- 维安
- 型号
- WML10N65C4
- 品类
- SJ MOSFET(超级结)
- 成色
- 全新原装
- 合规
- RoHS
- 生命周期
- 与原厂确认
- 交期 / 最小起订量
- 以报价为准
02 / 技术资料
技术参数
11 项结构与连接
- Channel
- N
- V_DSS (V)
- 650
- I_D (A)
- 8
- R_DS(on) (mOhm)@10V
- 600
- V_GS(th) (V)
- 4
- Q_g (nC)@10V
- 3.5
- C_iss (pF)
- 415
- C_oss (pF)
- 19
- C_rss (fF)
- 950
- P_D (W)
- 27
- T_J (C)
- -55 to 150
湿敏等级 (MSL): 1
03 / 原厂资料
规格与文档
请使用原厂官方文档，在设计定稿前核对电气特性、封装尺寸与工作限值。
请确认当前库存、生产日期代码、包装、价格与交货条款。产品信息不构成约束性报价，最终规格以报价为准。